ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения

П.А.Генцарь , А.И.Власенко

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
Киев-028, Украина

(Получена 16 января 2006 г. Принята к печати 30 января 2006 г.)

Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного перехода E0, электрооптическая энергия htheta, поверхностное электрическое поле Fs, энергетическое время релаксации носителей заряда tau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицы lambdaKF с приведенной эффективной массой mu при данном поверхностном электрическом поле Fs, величина электронной подвижности mue.

PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m

 PDF версия (135Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster