ФТП, 2006, том 40, выпуск 9: page 1069...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Точечные квантовые контакты в разупорядоченных Si-МОП структурах с инверсионным $p$ -каналом: нелинейное поведение системы в продольном и поперечном электрическом поле

А.С.Веденеев^\kern1pt, М.А.Феклисов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 1 августа 2005 г. Принята к печати 13 января 2006 г.)

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимости

G

мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным

p

-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (

N

_t=<q 3· 10¹² см^-2). При температурах

>=q77

K на зависимостях

G

от поперечного (

V

_g) и продольного (

V

_d) напряжений обнаружены: квазиплато

G(V

_g) при

G~ 2e

²/h и минимум

G(V

_d) при

|V

_d|<0.1 В (

G<< e

²/h). Демонстрируется соответствие данных, полученных из эффекта поля, результатам расчета характеристик точечного квантового контакта (параметры кривизны потенциала в продольном и поперечном направлениях

homega_x~homega_y~ 10 мэВ) и порядковое отличие

homega_x~300 мэВ, определенного из зависимости

G(V

_d). Отличие связывается с нелинейностью системы квантовых контактов по отношению к продольному и поперечному электрическому полю. Показано, что число квантовых контактов на пути протекания изменяется под действием поля в диапазоне

1=<q N=<q 30

PACS: 73.40.Qv, 73.23.--b

PDF версия (213Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster