ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu и дополнительно введенной примесью Zn

В.В.Криволапчук\kern1pt, М.М.Мездрогина\kern1pt, Ю.В.Кожанова *, С.Н.Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 18 января 2006 г.)

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов иона Eu в кристаллах GaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированы Mg, а затем --- европием. Введение дополнительной примеси Zn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра 5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда.

PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr

 PDF версия (443Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster