| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка
С.С.Хлудков, О.Б.Корецкая, Г.Р.Бурнашова
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 24 января 2006 г.)
|
Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: см/с, эВ; для растворимости: см, эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позиций диссоциативного механизма миграции атомов хрома в GaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea |
| PDF версия (134Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |