ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn

Н.Т.Гурин\kern1pt, А.М.Афанасьев, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия

(Получена 23 июня 2005 г. Принята к печати 12 декабря 2005 г.)

Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая >=q 2.6· 104 см-1.

PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf

 PDF версия (644Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster