ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния

И.Л.Баранов, Л.В.Табулина, Л.С.Становая, Т.Г.Русальская

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия

(Получена 3 октября 2005 г. Принята к печати 17 октября 2005 г.)

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структур SiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (с толщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем.

PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv

 PDF версия (172Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster