ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe в условиях рентгеновского облучения

З.Д.Ковалюк, В.Н.Катеринчук, О.А.Политанская, Н.Д.Раранский *

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина
* Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 19 июля 2005 г. Принята к печати 14 сентября 2005 г.)

Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов в InSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке.

PACS: 73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb

 PDF версия (167Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster