ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si

Т.А.Пагава\kern1pt

Грузинский технический университет,
0175 Тбилиси, Грузия

(Получена 13 июля 2005 г. Принята к печати 18 декабря 2005 г.)

С целью изучения влияния температуры облучения Tirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ в интервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектов PV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий.

PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster