ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние смещения электронно-дырочного равновесия на процесс диффузии переходных металлов в GaAs

С.С.Хлудков

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 6 июня 2005 г. Принята к печати 10 октября 2005 г.)

Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu и Cr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэффициент диффузии примеси в p+-GaAs существенно выше, а в n+-GaAs ниже, чем в i-GaAs. Полученные результаты обсуждаются на основе представлений о влиянии смещения электронно-дырочного равновесия в полупроводнике на процесс диффузии примесей, мигрирующих по диссоциативному механизму. Определена концентрация межузельной компоненты примесей Fe, Cu и Cr в GaAs при температуре диффузии.

PACS: 68.35.Fx, 66.30.Jt

 PDF версия (214Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster