ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки

Е.С.Никонюк\kern1pt,*, З.И.Захарук, Е.В.Рыбак, С.Г.Дремлюженко\kern1pt, В.Л.Шляховый\kern1pt*, М.А.Ковалец\kern1pt*

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
* Украинский национальный университет водного хозяйства и природопользования,
33028 Ровно, Украина

(Получена 28 ноября 2005 г. Принята к печати 9 декабря 2005 г.)

Проведен анализ примесно-дефектной системы в кристаллах Cd1-xZnxTe (0.02=<q x=<q 0.15) до и после термообработки при температурах 720--1170 K. Установлено, что в большинстве этих кристаллов проводимость контролируется двумя типами акцепторов A1 (EV=0.03-0.05 эВ) и A2 (EV=0.012-0.15 эВ). Изменение электрофизических свойств кристаллов после термообработки зависит от концентрации неконтролируемых примесей в исходном материале и степени компенсации акцептора A1. Увеличение сопротивления и однородности образцов происходит в результате двух последовательных термообработок.

PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster