ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные лазеры (lambda=940-980 нм) на основе асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры
раздельного ограничения

Д.А.Винокуров, А.Л.Станкевич, В.В.Шамахов, В.А.Капитонов, А.Ю.Лешко,
А.В.Лютецкий, Д.Н.Николаев, Н.А.Пихтин, Н.А.Рудова, З.Н.Соколова,
С.О.Слипченко, М.А.Хомылев, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 ноября 2005 г. Принята к печати 21 ноября 2005 г.)

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм. Состав твердого раствора волноводного слоя Ga0.74In0.26As0.47P0.53 был выбран на основе расчета энергии выброса электронов из квантовой ямы активной области в волновод. Полученные гетероструктуры использовались для изготовления полупроводниковых лазеров с апертурой излучения 100 мкм. В непрерывном режиме генерации лазеров при комнатной температуре была достигнута максимальная выходная оптическая мощность 12 Вт. Внутренние оптические потери составляли 0.6 и 0.3 см-1 соответственно на длинах волн 940 и 980 нм.

PACS: 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.67.-n

 PDF версия (221Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster