ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц

Н.С.Болтовец\kern1pt, В.Н.Иванов, А.Е.Беляев\kern1pt*, Р.В.Конакова\kern1pt*, Я.Я.Кудрик\kern1pt*, В.В.Миленин\kern1pt*,
И.Н.Арсентьев\kern1pt+, А.В.Бобыль\kern1pt+, П.Н.Брунков\kern1pt+, И.С.Тарасов\kern1pt+,
А.А.Тонких\kern1pt+, В.П.Улин\kern1pt+, В.М.Устинов\kern1pt+, Г.Э.Цырлин\kern1pt+

Государственное предприятие НИИ \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук,
03028 Киев, Украина
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 октября 2005 г. Принята к печати 9 ноября 2005 г.)

Новая технология термически стабильных омических контактов с диффузионными барьерами на основе аморфных фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx использована при разработке СВЧ диодов миллиметрового диапазона (более 100 ГГц) на основе GaAs, InP и Si. Повышение надежности GaAs, InP диодов Ганна, работающих на частоте 200 ГГц, стало возможным также и за счет использования в качестве исходных приборных структур эпитаксиальных слоев, полученных методами газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксии на пористые подложки AIIIBV. Диапазон работы лавинно-пролетных диодов на основе Si увеличен до 350 ГГц. Для этого впервые была использована технология формирования активного элемента на кремниевой металлизированной мембране.

PACS: 85.30.Mn, 85.30.Fg

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster