-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина $~4$, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах.

PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg