ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Излучательное время жизни электронов и дырок в тонком слое полупроводника

В.И.Пипа

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 27 сентября 2005 г. Принята к печати 15 ноября 2005 г.)

Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя.

PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m

 PDF версия (110Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster