ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки
в тонкой пленке диоксида кремния

М.И.Векслер, С.Э.Тягинов, А.Ф.Шулекин\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 июня 2005 г. Принята к печати 14 сентября 2005 г.)

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования.

PACS: 85.30.De, 73.40.Qv

 PDF версия (386Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster