ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления

С.А.Блохин\kern1pt+, Н.В.Крыжановская\kern1pt+, А.Г.Гладышев\kern1pt+, Н.А.Малеев\kern1pt+, А.Г.Кузьменков\kern1pt+,
Е.М.Аракчеева\kern1pt+, Е.М.Танклевская\kern1pt+, А.Е.Жуков\kern1pt+, А.П.Васильев\kern1pt+, Е.С.Семенова\kern1pt+,
М.В.Максимов\kern1pt+, Н.Н.Леденцов\kern1pt+*, В.М.Устинов\kern1pt+, Э.Шток\kern1pt*, Д.Бимберг\kern1pt*

+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,
D-10623 Berlin, Germany

(Получена 11 сентября 2005 г. Принята к печати 25 сентября 2005 г.)

Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5--180 K. В качестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек в GaAs.

PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh

 PDF версия (352Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster