ФТП, 2006, том 40, выпуск 4
ФТП, 2006, том 40, выпуск 4
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Б.А.Борисов, С.Н.Никишин, В.В.Курятков, В.И.Кучинский, M.Holtz, H.Temkin
Department of Electrical Engineering, Texas Tech University,
Lubbock, TX 79409, USA
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 6 сентября 2005 г. Принята к печати 21 сентября 2005 г.)
|
Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям AlGaN/AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi |
| PDF версия (216Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |