ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением
с введением углерода

Э.Б.Каганович\kern1pt, И.П.Лисовский, Э.Г.Манойлов, С.А.Злобин

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03928 Киев, Украина

(Получена 6 июня 2005 г. Принята к печати 5 сентября 2005 г.)

Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1), насыщением оборванных связей кремния на поверхности Si нанокристаллов более крупных размеров и механическим укреплением Si нанокристаллов более мелких размеров.

PACS: 78.66.Db, 61.72.Tt

 PDF версия (220Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster