ФТП, 2006, том 40, выпуск 4ФТП, 2006, том 40, выпуск 4| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А. Моделирование диффузии алюминия в кремнии в инертной и окислительной средах | 385 |
|---|---|
| Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы | 391 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe | 397 |
| Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках | 400 |
| Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М. Фотопроводимость и люминесценция в монокристалле CuInSe при высоком уровне возбуждения | 406 |
| Мигаль В.П., Фомин А.С. Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe | 408 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) с фазой упорядочения AlGaAs | 411 |
| Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Влияние имплантации ионов меди на оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных пленок | 419 |
| Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода | 426 |
| Низкоразмерные системы | |
| Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б. Энергетический спектр и магнитооптические свойства -центра в квантовом сужении | 433 |
| Кадушкин В.И. Спиновое расщепление и -фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования | 439 |
| Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях | 446 |
| Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением с введением углерода | 449 |
| Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм | 455 |
| Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии | 460 |
| Кайбышев В.Х., Травников В.В. Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe | 464 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния | 473 |
| Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния | 476 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления | 482 |
| Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах | 488 |
| Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Морозов М.Ю. Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера с вертикальным резонатором и нелинейным преобразованием частоты | 493 |
| Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния | 498 |