| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Характеристики экситонов и экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми точками
И.М.Купчак, Д.В.Корбутяк, Ю.В.Крюченко, А.В.Саченко, И.О.Соколовский, О.М.Сресели
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 31 мая 2005 г. Принята к печати 15 июня 2005 г.)
|
В приближении эффективных масс и квадратичного закона дисперсии проведен расчет энергии связи экситонов, энергии основного излучательного экситонного перехода и нуль-фононного излучательного времени жизни экситонов в кремниевых квантовых точках, находящихся в матрице SiO. Рассчитаны также спектры стационарной и время-разрешенной экситонной фотолюминесценции кремниевых квантовых точек, рассмотрена кинетика релаксации фотолюминесценции. Проведено сравнение теории с экспериментом. Показано, что основным фактором уширения спектральных полос фотолюминесценции в наноструктурах с кремниевыми квантовыми точками диаметром менее 4 нм является эффект квантово-мезоскопических флуктуаций, когда наличие даже одной оборванной связи на интерфейсе или одного собственного точечного дефекта или инородного атома в нанокристаллите такого размера или в его близком окружении сильно сказывается на энергии экситонного перехода. PACS: 71.35.Gg, 78.55.-m, 78.67.Hc |
| PDF версия (370Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |