ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в  полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм

А.В.Савельев+*, М.В.Максимов+, В.М.Устинов+, Р.П.Сейсян+

+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 июня 2005 г. Принята к печати 21 июня 2005 г.)

Изучались спектры фототока лазерных гетероструктур с квантовыми точками InAs, полученными в результате самоорганизации в гетеросистеме InAs/InGaAs/GaAs. Исследования выполнены при освещении образца перпендикулярно и вдоль плоскости квантовых точек. Определены: оптическая плотность квантовых точек, максимальное усиление в лазерной структуре, время излучательной рекомбинации носителей и поляризационные свойства поглощения. Спектры фототока соотнесены с особенностями лазерной генерации исследуемых структур. Спектр поглощения интерпретируется как суперпозиция переходов между состояниями дискретного спектра, непрерывного спектра и \glqq смешанных\grqq переходов.

PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 78.67.Hc, 78.67.De

 PDF версия (340Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster