ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах InAs / GaAs

Г.Г.Тарасов , З.Я.Жученко, М.П.Лисица, Yu.I.Mazur +, Zh.M.Wang +,
G.J.Salamo +, T.Warming *, D.Bimberg *, H.Kissel

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
+ Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville,
72701 Arkansas, USA
* Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin,
10623 Berlin, Deutschland
Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik,
12489 Berlin, Deutschland

(Получена 11 апреля 2005 г. Принята к печати 26 апреля 2005 г.)

Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. В такой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам.

PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc

 PDF версия (256Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster