ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si

Г.А.Качурин , С.Г.Черкова, В.А.Володин, Д.М.Марин, Д.И.Тетельбаум *, H.Becker +

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия
+ Laser Zentrum Hannover e. V.,
30419 Hannover, Germany

(Получена 27 декабря 2004 г. Принята к печати 18 апреля 2005 г.)

Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. Имплантация B гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах.

PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww

 PDF версия (302Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster