| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние инверсии зон на фононные спектры твердых растворов HgZnTe
Л.К.Водопьянов, И.В.Кучеренко , А.Марчелли , Е.Бураттини ,
М.Пиччинини , М.Честелли Гауди , Р.Трибуле
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
Национальная лаборатория Фраскати ИНФН,
00044 Фраскати, Италия
Лаборатория физики твердого тела, ЦНРС,
Медон, Франция
(Получена 26 апреля 2005 г. Принята к печати 10 мая 2005 г.)
|
Узкозонные полупроводниковые сплавы II--VI и IV--VI являются удобным объектом для исследования электрон-фононного взаимодействия. Однако в сплавах IV--VI концентрация свободных носителей достаточно высока ( см), что затрудняет изучение этого эффекта методом оптического отражения. Концентрация свободных носителей в узкозонных твердых растворах HgZnTe значительно меньше ( см), поэтому плазменная составляющая оказывает меньшее влияние на спектр решеточного отражения. Спектры отражения кристаллов HgZnTe с исследовались в далекой инфракрасной области в диапазоне см в интервале температур K. С помощью дисперсионного анализа и анализа Крамерса--Кронига определены частоты TO-фононов HgTe- и ZnTe-подобных мод в зависимости от состава. Показано, что перестройка фононного спектра имеет двухмодовый характер. В узкозонном сплаве с измерены температурные зависимости частот TO-фононов и параметра затухания в интервале температур K. Впервые оптическими методами обнаружено уменьшение частоты TO-фонона мягкой моды вблизи точки инверсии зон при K. Параметр затухания несколько возрастает в окрестности этой температуры. Полученные результаты качественно согласуются с теоретической моделью Кавамуры и др., учитывающей влияние электрон-фононного взаимодействия на частоту мягкой моды в соединениях IV--VI. PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 63.20.Mt |
| PDF версия (308Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |