ФТП, 2006, том 40, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Прыжковая varepsilon2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде

И.П.Звягин, И.А.Курова, М.А.Нальгиева, Н.Н.Ормонт

Московский государственнный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия

(Получена 6 апреля 2005 г. Принята к печати 20 апреля 2005 г.)

Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленок a-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны.

PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster