ФТП, 2005, том 39, выпуск 12: page 1475...

ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Идеальный статический пробой в высоковольтных (1 кВ) диодных $p-n$ -структурах с охранными кольцами на основе $4H$ -SiC

П.А.Иванов^\kern1pt, И.В.Грехов, Н.Д.Ильинская, Т.П.Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 мая 2005 г. Принята к печати 1 июня 2005 г.)

Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой (1060 В) в

p

⁺-n-n⁺-диодах с охранными кольцами на основе

4H

-SiC. При легировании

n

-базы до уровня

1.9

· 10¹⁶ см

^-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет

2.7

·10⁶ В/см. Ток утечки диодов не превышает

5

·10^-5 А/см

² при обратном напряжении до 1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток 1 А/см

², что соответствует рассеиваемой мощности 1 кВт/см

².