ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика

Л.С.Берман

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 марта 2005 г. Принята к печати 30 марта 2005 г.)

Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт --- омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsiloneff 0 может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. В слабых полях (E<105 В/см) значение диэлектрической проницаемости мало зависит от поля, поэтому при E<105 В/см значение varepsiloneff 0 может быть использовано как среднее значение varepsiloneff при обработке результатов измерений. Вычисление зависимости квадрата обратной емкости от высоты потенциального барьера показало, что при малых напряжениях эта зависимость близка к линейной, что позволяет определить по ней концентрацию мелкой примеси. Вычислены зависимости толщины области объемного заряда и поляризации у контакта от высоты потенциального барьера. Результаты моделирования могут быть использованы при обработке результатов эксперимента.

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster