ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

Г.М.Гаджиев\kern1pt*, В.Г.Голубев, Д.А.Курдюков, А.Б.Певцов, А.В.Селькин, В.В.Травников\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 25 апреля 2005 г. Принята к печати 4 мая 2005 г.)

Исследованы спектры брэгговского отражения света от фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник (GaP, GaN). Развит подход, позволяющий проводить характеризацию опалоподобных структур, основанный на исследовании формы спектров брэгговского отражения света и условий, в которых проявляется многоволновая брэгговская дифракция. Анализ формы спектров отражения выполнен в рамках приближения планарной слоисто-периодической среды с учетом спекания и одноосного сжатия сфер a-SiO2, формирующих 3D решетку опала. Диаметры и коэффициенты сжатия сфер найдены с учетом предложенного в работе спектроскопического структурного инварианта, определяющего условия наблюдения многоволновой брэгговской дифракции на системе плоскостей {111}.

 PDF версия (273Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster