| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля
Е.Н.Вандышев , А.М.Гилинский, Т.С.Шамирзаев, К.С.Журавлев
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
(Получена 10 марта 2005 г. Принята к печати 24 апреля 2005 г.)
| Исследовано влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксиде кремния методом ионной имплантации с последующим отжигом. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции нанокристаллов при низких температурах на величину до 10% при напряженности поля 12 кВ / см и ее понижению при температурах свыше 20 K. Возгорание экситонной фотолюминесценции нанокристаллов под действием электрического поля противоречит модели рекомбинации размерно-квантованных экситонов в нанокристаллах и описывается в рамках модели рекомбинации автолокализованных экситонов, формирующихся на границе нанокристалл кремния--оксид кремния. |
| PDF версия (229Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |