ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки

В.А.Кульбачинский , В.А.Рогозин, Р.А.Лунин, А.А.Белов, А.Л.Карузский,
А.В.Пересторонин, А.В.Здоровейщев

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия

(Получена 22 февраля 2005 г. Принята к печати 9 марта 2005 г.)

Исследованы спектры фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различных мощностях накачки и температурах. На начальном участке роста мощности накачки обнаруживается сдвиг одной из линий спектра фотолюминесценции в нелегированном образце. При повышении температуры интенсивность высокоэнергетической части спектра уменьшается, а низкоэнергетическая смещается в область еще более низких энергий. Показано наличие в структурах квантовых точек двух характерных размеров.

 PDF версия (280Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster