ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла
для полупроводников с различными типами дефектов

А.Н.Яшин

Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия

(Получена 27 января 2005 г. Принята к печати 15 февраля 2005 г.)

Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster