ФТП, 2005, том 39, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации

Н.А.Соболев , А.М.Емельянов, Е.И.Шек, О.В.Феклисова *, Е.Б.Якимов *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 21 февраля 2005 г. Принята к печати 14 марта 2005 г.)

Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B и P в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки (FZ-Si) и Чохральского (Cz-Si) с последующим отжигом при 700 и 1100oC. Интенсивность дислокационной электролюминесценции выше в светодиодах на основе FZ-Si. Низкотемпературный постимплантационный отжиг способствует увеличению интенсивности дислокационной электролюминесценции по сравнению с высокотемпературным. Трансформация спектров излучения в зависимости от тока в светодиодах на основе FZ-Si хорошо описывается 8 гауссовыми линиями. Положения максимумов этих линий не зависят от тока и равны 1.22, 1.244, 1.26, 1.316, 1.38, 1.42, 1.52 и 1.544 мкм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности и ширины линий от тока.

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster