ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель на основе разогрева двумерного электронного газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения

Д.В.Морозов, К.В.Смирнов, А.В.Смирнов , В.А.Ляхов, Г.Н.Гольцман

Московский педагогический государственный университет,
119992 Москва, Россия

(Получена 27 сентября 2004 г. Принята к печати 14 октября 2004 г.)

Представлены экспериментальные результаты исследования основных характеристик смесителя миллиметрового/субмиллиметрового диапазонов на эффекте разогрева двумерного электронного газа гетероструктур AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения носителей. Полоса преобразования смесителя составила 4 ГГц, внутренние потери преобразования 13 дБ, оптимальная мощность гетеродина 0.5 мкВт (для смесителя площадью 1 мкм2). Показана возможность создания приемника миллиметрового/субмиллиметрового излучения с шумовой температурой 1900 K на базе AlGaAs/GaAs-смесителя, а также перспективность его использования в матричных приемных элементах.

 PDF версия (276Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster