ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур

В.Ф.Елесин, И.Ю.Катеев

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 2 ноября 2004 г. Принята к печати 19 января 2005 г.)

Развита теория нелинейного высокочастотного отклика для двухъямной наноструктуры в постоянном электрическом поле. Такая структура является простейшей на пути от одноямной (резонансно-туннельный диод --- РТД) к сверхрешетке с однозонной \glqq штарковской лестницей\grqq. В работе с помощью численного решения уравнения Шредингера найден ток поляризации в широком интервале частот и полей (включая сильные поля) для модельных и реальных структур. Показано, что отклик двухъямной наноструктуры значительно превосходит (на 1-2 порядка) отклик резонансно-туннельного диода. Предсказывается новый оптимальный режим генерации, аналогичный режиму в когерентном лазере на межуровневых переходах.

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster