ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Точная самокомпенсация проводимости в кристалле Cd0.95Zn0.05Te : Cl в широком интервале давлений пара Cd

О.А.Матвеев , А.И.Терентьев, Н.К.Зеленина, В.Н.Гуськов *, В.Е.Седов, А.А.Томасов, В.П.Карпенко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук,
117907 Москва, Россия

(Получена 7 декабря 2004 г. Принята к печати 22 декабря 2004 г.)

Процесс самокомпенсации в кристаллах твердого раствора Cd0.95Zn0.05Te : Cl изучался путем отжигов монокристаллов под управляемым давлением пара Cd с последующим измерением эффекта Холла, фотолюминесценции, времени жизни и подвижности носителей заряда и памяти фототока в отожженных кристаллах. В результате отжигов были определены термические условия получения образцов с низкой проводимостью и малой концентрацией свободных носителей заряда (107-1011 см-3). Показано, что инверсия проводимости p-> n наблюдается в этих кристаллах при более высоких концентрациях свободных носителей заряда (n,p~109 см-3), а кривая зависимости концентрации электронов от давления кадмия более пологая, чем в кристаллах CdTe : Cl. Для объяснения полученных результатов привлечена модель самокомпенсации с участием заряженных собственных точечных дефектов акцепторов с глубоким уровнем. Сделано предположение, что этот уровень принадлежит вакансии цинка, сохраняющей активность при высоких давлениях кадмия.

 PDF версия (207Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster