ФТП, 2005, том 39, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si

А.А.Шерченков , Б.Г.Будагян, А.В.Мазуров

Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),
124498 Москва, Зеленоград, Россия

(Получена 27 декабря 2004 г. Принята к печати 12 января 2005 г.)

Исследованы свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si, сформированных при различном содержании углерода в сплаве. Установлены преобладающие механизмы переноса носителей заряда в гетероструктурах. Предложены эквивалентные электрические схемы, позволяющие описать вольт-амперные характеристики гетероструктур во всем исследуемом диапазоне смещений. Оценены температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны и сродство к электрону для a-SiC : H.

 PDF версия (244Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster