ФТП, 2005, том 39, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Причины устойчивости трехбислойных островков и ступеней на поверхности Si (111)

А.В.Зверев, И.Г.Неизвестный, И.А.Рейзвих, К.Н.Романюк, С.А.Тийс, Н.Л.Шварц , З.Ш.Яновицкая

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 11 октября 2004 г. Принята к печати 26 октября 2004 г.)

Начальные стадии роста слоев Ge и Si на сингулярной поверхности Si(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. С помощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям < 1 1 2>, высоты в 3 бислоя. С помощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхности Si(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.

 PDF версия (360Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster