ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

Н.Н.Кононов, Г.П.Кузьмин, А.Н.Орлов+, А.А.Сурков, О.В.Тихоневич

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
119991 Mocква, Россия
+ Центр естественно-научных исследований при Институте общей физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 25 октября 2004 г. Принята к печати 29 ноября 2004 г.)

Исследованы инфракрасные спектры пропускания и темновая проводимость пластин, изготовленных из порошков нанокристаллического кремния (nc-Si). Исходные порошки nc-Si синтезировались методом лазерно-индуцированной диссоциации силана в диапазоне температур окружающего буферного газа от 20 до 250oC и затем прессовались при давлениях от 108 до 109 Па. Обнаружено, что в процессе прессования порошков nc-Si в них формируются структуры Si--H, Si--CHx и Oy--Si--Hx (x,y=1-3). Образованные структуры разрушаются при отжиге пластин, причем наименьшая температура отжига (t=160oC) требуется для разрушения комплексов Si--H, Si--CHx. Показано, что темновая проводимость пластин nc-Si возрастает с увеличением температуры буферного газа, при которой синтезировался исходный порошок. Обнаружено, что существуют две температурные области, в которых темновая проводимость пластин имеет качественно различный характер. При температурах пластин T>=q 270 K проводимость связана со свободными носителями заряда, в то время как при меньших температурах электронный транспорт определяется прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в запрещенной зоне.

 PDF версия (199Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster