| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации
Б.А.Аронзон, Д.Ю.Ковалев, В.В.Рыльков
Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141120 Фрязино, Россия
(Получена 9 ноября 2004 г. Принята к печати 25 ноября 2004 г.)
| Исследованы неомические свойства квазидвумерного канала прыжковой проводимости, формируемого при помощи эффекта поля, в слоях -Si в области пересечения уровня Ферми с примесной зоной. Установлено, что зависимость электропроводности от продольного электрического поля имеет пороговый характер и подчиняется закону: . Температурная и полевая зависимости проводимости квазидвумерного канала хорошо объясняются представлениями о нелинейном экранировании и неомических свойствах неупорядоченных систем со случайным кулоновским потенциалом. Данный механизм нелинейности подтверждается особенностями мезоскопических флуктуаций недиагольнальной компоненты сопротивления, отражающими перестройку перколяционного кластера под действием продольного поля. Обнаружены долговременные релаксации проводимости при переходе от неомического режима к омическому, свидетельствующие о проявлении данной системой свойств электронного стекла и существенном изменении токовых путей в сильном электрическом поле. |
| PDF версия (361Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |