ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02)

А.Н.Георгобиани, А.Х.Матиев*, Б.М.Хамхоев *

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
117924 Москва, Россия
* Ингушский государственный университет,
386100 Магас, Россия

(Получена 23 ноября 2004 г. Принята к печати 26 ноября 2004 г.)

Изучалась анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02). Показано, что показатель преломления растет при приближении к собственной полосе поглощения. Установлено, что, когда свет и внешнее электрическое поле направлены вдоль выделенной кристаллографической оси  c, электрооптический эффект является квадратичным; если же поле перпендикулярно оси  c, а свет направлен вдоль нее, то электрооптический эффект является линейным.

 PDF версия (131Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster