ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb

И.А.Большакова , В.М.Бойко +, В.Н.Брудный *, И.В.Каменская *, Н.Г.Колин +,
Е.Ю.Макидо, Т.А.Московец, Д.И.Меркурисов +

Львовский политехнический национальный университет,
290013 Львов, Украина
+ Филиал ФГУП Физико-химический институт им. Л.Я. Карпова,
249033 Обнинск, Россия
* Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 3 ноября 2004 г. Принята к печати 25 ноября 2004 г.)

Представлены результаты исследований изменения свойств сенсоров магнитного поля на основе нитевидных микрокристаллов n+-InSb в процессе облучения быстрыми нейтронами реактора ИБР-2. Оценена оптимальная концентрация свободных электронов n~(6-7)· 1017 см-3 в InSb, которая обеспечивает максимальную радиационную стойкость сенсоров. Определен раздельный вклад двух конкурирующих процессов в изменение электрофизических свойств InSb при нейтронном облучении: трансмутационного легирования InSb мелкой донорной примесью Sn и компенсации исходной проводимости n+-InSb вследствие генерации глубоких радиационных дефектов акцепторного типа.

 PDF версия (280Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster