ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературные нестабильности электрических свойств полуизолирующих кристаллов Cd0.96Zn0.04Te : Cl

А.В.Савицкий , О.А.Парфенюк, М.И.Илащук, К.С.Уляницкий, С.Н.Чупыра, Н.Д.Вахняк

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 28 июня 2004 г. Принята к печати 10 ноября 2004 г.)

Исследованы электрические (295--430 K) свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl с разным содержанием примеси в расплаве (C0Cl=5·1017-1·1019 см-3). На всех образцах при достаточно низких температурах (T=330-385 K) наблюдались неравновесные процессы, которые приводили к уменьшению концентрации носителей. Эти изменения имеют обратимый характер. Определена энергия активации такого процесса: Ea=0.88 эВ. Как и в случае полуизолирующего CdTe : Cl, наблюдаемые явления можно объяснить изменением зарядового состояния атомов неконтролируемой меди: CuCd=<ftrightarrow Cui. При введении Zn изменяется соотношение между концентрациями мелких доноров Cui и ClTe по сравнению с их количеством в исходном материале.

 PDF версия (238Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster