ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров

Н.А.Малеев , А.Г.Кузьменков, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.С.Шуленков *, С.В.Чумак *, Е.В.Никитина,
С.А.Блохин, М.М.Кулагина, Е.С.Семенова, Д.А.Лившиц, М.В.Максимов, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,
220024 Минск, Белоруссия

(Получена 28 июня 2004 г. Принята к печати 12 июля 2004 г.)

Предложена конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров с нижним полупроводниковым AlGaAs/GaAs и верхним AlGaO/GaAs распределенными брэгговскими отражателями. Реализованы матрицы, содержащие 8x 8 лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs. На индивидуальных излучающих элементах при диаметре окисленной апертуры 8--10 мкм получена лазерная генерация на длинах волн 960--965 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.0--2.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.4 мВт/мА и максимальной выходной мощностью более 2 мВт.

 PDF версия (289Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster