| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния
Л.А.Осминкина, А.С.Воронцов, Е.А.Константинова, В.Ю.Тимошенко, П.К.Кашкаров
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический факультет),
119992 Москва, Россия
(Получена 29 июля 2004 г. Принята к печати 19 августа 2004 г.)
| Методами инфракрасной спектроскопии и спектроскопии электронного парамагнитного резонанса исследовано влияние адсорбции молекул пиридина (CHN), проявляющего донорные свойства, на концентрацию свободных дырок и дефектов в слоях пористого кремния, различающихся морфологией составляющих его нанокристаллов и пор, а также концентрацией легирующей примеси бора. Установлено, что зависимость концентрации дырок от давления паров пиридина определяется исходным уровнем легирования пористого кремния бором, в то время как число дефектов --- оборванных связей кремния практически не изменяется в процессе адсорбции для всех типов образцов. Для образцов, приготовленных на подложках с концентрацией бора см, обнаружено уменьшение числа дырок при малых давлениях пиридина, что объяснено их захватом на поверхностные состояния адсорбированных молекул CHN. При давлениях пиридина, близких к давлению насыщенных паров, наблюдается рост концентрации дырок в слоях пористого кремния, связываемый с опустошением дырочных \glqq ловушек\grqq вследствие увеличения диэлектрической проницаемости среды, окружающей нанокристаллы кремния, в условиях конденсации паров CHN в порах образца. |
| PDF версия (194Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |