Выполнены расчеты энергий и волновых функций резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах. Расчеты проводились в модели изолированного примесного центра на примере гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Получена формула для вероятности спонтанного испускания полярных оптических ($LO$) фононов. Показано, что полярное электрон-фононное взаимодействие модифицируется вблизи энергий резонансов. Модификация обусловлена гибридизацией подзон размерного квантования, вследствие которой электрон взаимодействует с фононами, вообще говоря, одновременно в двух каналах (подзонах). Вычислено сечение поглощения инфракрасного излучения с учетом однородного (в среднем инфракрасном диапазоне) и неоднородного уширения (в дальнем инфракрасном диапазоне). Поглощение излучения, в котором электрическое поле волны перпендикулярно гетерограницам, обусловлено оптическими переходами в состояния в окрестности резонансов. Однородное уширение линий поглощения вместе с частотой рассеяния на $LO$-фононах оказываются зависящими от ширины резонансов (степени гибридизации подзон).