ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия эффективной массы Gamma-электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As

Е.Е.Вдовин , Ю.Н.Ханин

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 23 июня 2004 г. Принята к печати 7 июля 2004 г.)

Представлены результаты исследования транспорта электронов через двухбарьерные гетероструктуры AlAs/GaAs/AlAs, выращенные на подложках с ориентацией (001) и (311), анализ результатов которых позволяет получить информацию об анизотропии электронных подзон в квантовой яме GaAs. Дисперсия в плоскости квантовой ямы E(k||) исследовалась с помощью магнитотуннельной спектроскопии при приложении магнитного поля  B в плоскости квантовой ямы (т. е. перпендикулярно туннельному току). Амплитуда и изменение положения по напряжению резонансных пиков в туннельном токе оказались чувствительными как к величине, так и к ориентации магнитного поля относительно кристаллографических осей в плоскости квантовой ямы. Помещая монослой InAs в различные позиции внутри квантовой ямы GaAs, мы могли модифицировать волновые функции электронов и исследовать природу анизотропии электронных подзон в такой квантовой яме.

 PDF версия (643Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster