ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100)

Э.П.Домашевская , П.В.Середин, Э.А.Долгополова, И.Е.Занин, И.Н.Арсентьев *,
Д.А.Винокуров *, А.Л.Станкевич *, И.С.Тарасов *

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 мая 2004 г. Принята к печати 7 июня 2004 г.)

Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. В эпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs2 с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al0.50Ga0.50As и монокристаллической подложки GaAs.

 PDF версия (323Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster