ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник

Л.С.Берман

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 июля 2004 г. Принята к печати 13 июля 2004 г.)

Выполнен расчет деполяризации в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика --- численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1. Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2. Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. В случае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.

 PDF версия (148Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster