ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сенсоры аммиака на основе диодов Pd--n-Si

В.И.Балюба, В.Ю.Грицык, Т.А.Давыдова, В.М.Калыгина, С.С.Назаров, Л.С.Хлудкова

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 9 июня 2004 г. Принята к печати 23 июня 2004 г.)

Исследовано влияние аммиака на электрические характеристики диодных структур Pd--n-Si. Изучена кинетика изменения характеристик диодов при воздействии аммиака. Показано, что быстродействием сенсоров аммиака на основе диодов Pd--n-Si можно управлять, подавая импульсы дополнительного потенциала на барьерный электрод.

 PDF версия (222Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster