ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О влиянии флуктуаций толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки

М.А.Рувинский , Б.М.Рувинский

Прикарпатский университет им. В. Стефаника,
76000 Ивано-Франковск, Украина

(Получена 24 мая 2004 г. Принята к печати 24 мая 2004 г.)

Получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки. Для невырожденной статистики носителей тока при достаточно низких температурах (T) подвижность электронов un прапорционально T1/2. В предельном случае сильного магнитного поля H, направленного вдоль длины проволоки, в подвижности возникает множитель H-1/2. Показано, что рассмотренный механизм релаксации носителей заряда является существенным для электропроводности достаточно тонкой и чистой проволоки при низких температурах.

 PDF версия (128Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster